人形機器人 | GaN FET 在人形機器人中的應(yīng)用
人形機器人|GaN FET在人形機器人中的應(yīng)用
從科幻走入現(xiàn)實，人形機器人正經(jīng)歷一場靜默而深刻的技術(shù)革命：更高效的能源控制、更精準的運動算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革正在重塑機器人的“骨骼”、“神經(jīng)”與“感官”。
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從不同方面對人形機器人進行知識解析
本文將聚焦
GaN FET在人形機器人中的應(yīng)用
引言
人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)(BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機(PMSM)和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決于所執(zhí)行的具體功能；例如，驅(qū)動機器人手指的電機可能只需要數(shù)安培電流，而驅(qū)動髖關(guān)節(jié)或腿的電機可能需要100安培或更高的電流。
與傳統(tǒng)伺服系統(tǒng)相比，人形機器人的伺服系統(tǒng)具有更高的控制精度、尺寸和散熱要求。本文介紹了GaN（氮化鎵）技術(shù)在電機驅(qū)動器中的各種優(yōu)勢，并展示了GaN如何幫助解決人形機器人中伺服系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)。
更精確的控制
在伺服電機驅(qū)動應(yīng)用中，電機控制通常分為幾個控制回路層：電流/扭矩回路、速度回路、位置回路和更高級別的運動控制回路。這些回路通常以級聯(lián)的形式排列，每個回路都有“實時”處理要求。電流/扭矩回路是速度最快的控制回路。每個上游回路以其之前回路的倍數(shù)運行，并為下游回路提供輸入?yún)⒖肌D1顯示了典型的級聯(lián)控制拓撲。
圖1：典型的伺服電機控制回路技術(shù)
控制回路最重要的部分是電流回路。通常，F(xiàn)ET開關(guān)頻率與電流回路相同，約為8kHz至32kHz。電流回路的速度直接影響電機控制的精度和響應(yīng)速度。人形機器人的一個簡單動作涉及多個伺服電機的控制。為了協(xié)調(diào)機器人身體中的近40個電機，同時保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性，每個關(guān)節(jié)的控制精度和響應(yīng)速度必須滿足非常高的要求?？赏ㄟ^提高電機控制回路的速度和PWM頻率來滿足這些要求。例如，100kHz(圖2)的開關(guān)頻率可以實現(xiàn)分辨率更高的電機電流，從而實現(xiàn)更小的電機電流紋波和更精確的控制。高分辨率電機電流波形也意味著可以獲得更好的正弦電流，這可以提高電機的運行效率并減少電機發(fā)熱。
圖2：100kHz和10kHz PWM電機電流
此外，增加PWM開關(guān)頻率可以減小DC總線電容器的尺寸和電容。對于要替換為陶瓷電容器的電解電容器，需要滿足的總線電容要求降低。伺服功率級FET通過PWM信號定期從總線電容器汲取電流。當PWM頻率增加時，每個單位時間消耗的電荷量減小，這意味著所需的總線電容減少。根據(jù)TIDA-010936的測試，將PWM頻率從20kHz提高到80kHz后，可以用電容相等的陶瓷電容器代替電解電容器，以獲得相似的總線電壓紋波。與電解電容器相比，陶瓷電容器具有明顯優(yōu)勢：更小的尺寸、更長的使用壽命、更好的高頻特性等。
因此，在設(shè)計人形機器人時必須考慮速度更高的電流回路和更高的PWM頻率。對于MOSFET型伺服驅(qū)動器，PWM開關(guān)頻率的增加會帶來很大的額外損耗，從而導致驅(qū)動器嚴重發(fā)熱。當開關(guān)頻率從10kHz增加到20kHz時，MOSFET型驅(qū)動器會讓總體損耗增加20%至30%，這對于人形機器人是不可接受的。此外，GaN FET在高頻下具有較低開關(guān)損耗。在TIDA-010936測試中，電路板損耗在40kHz和80kHz下幾乎相同，因此GaN特別適合高開關(guān)頻率場景。
圖3：TIDA-010936電路板在48V輸入電壓下的損耗與三相輸出電流間的關(guān)系
減少開關(guān)損耗
GaN之所以能夠?qū)崿F(xiàn)如此低的開關(guān)損耗，源于GaN器件的特性。GaN器件具有更小的柵極電容(CG)和更小的輸出電容(Coss)，可實現(xiàn)達到Si-MOSFET 100倍的開關(guān)速度。由于關(guān)斷和開通時間縮短，可以在較短的范圍內(nèi)控制死區(qū)時間，例如10-20ns，而MOSFET通常需要約1us的死區(qū)時間。死區(qū)時間的縮短可降低開關(guān)損耗。此外，GaN FET沒有體二極管，但續(xù)流功能通過第三象限操作實現(xiàn)。在高頻PWM場景中，MOSFET的體二極管會導致較大的反向恢復損耗（Qrr損耗）。第三象限操作還可避免開關(guān)節(jié)點響鈴和由體二極管引起的EMI風險，從而降低對高功率密度人形機器人中其他器件的干擾。
尺寸更小
人形機器人的關(guān)節(jié)空間有限。電源板通常是直徑為5-10 cm的環(huán)形PCB。此外，關(guān)節(jié)必須集成電機、減速器、編碼器甚至傳感器。重要的是，設(shè)計人員必須在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率和更穩(wěn)定的電機控制。與MOSFET相比，GaN具有更小的RSP（比電阻、裸片面積尺寸比較），這意味著與具有相同RDSon的MOSFET相比，GaN具有更小的裸片面積。德州儀器(TI)通過集成FET和柵極驅(qū)動器進一步減小了占用空間。這樣可以實現(xiàn)4.4mΩ半橋+柵極驅(qū)動器，并且封裝僅為4.5 x 5.5mm。
以LMG2100R026為例。該器件集成了半橋的FET和半橋驅(qū)動器，可承受55A的持續(xù)電流。將驅(qū)動器與FET集成有許多優(yōu)勢，包括：
減少了柵極響鈴，讓運行更可靠
減小了電源回路電感并且優(yōu)化了封裝尺寸
通過集成柵極驅(qū)動器減小了尺寸
通過集成的保護功能保護器件
為了在設(shè)計中比較GaN和MOSFET，我們可以查看提供類似功率級別的TIDA-010936和TIDA-01629設(shè)計。如圖5所示，由于集成了柵極驅(qū)動器并降低了GaN的RSP，整個功率器件的芯片面積減小了50%以上。
總結(jié)
人形機器人對控制精度和功率密度的要求較高。GaN可以在高PWM頻率下以低損耗輕松實現(xiàn)更高精度的電機控制。GaN的高功率密度特性與德州儀器(TI)的集成式驅(qū)動器的特性相結(jié)合，可進一步減小尺寸。由于這些優(yōu)勢，GaN型電機驅(qū)動器可能會成為人形機器人的首選設(shè)計，帶來更高效、更穩(wěn)定和更智能的機器人設(shè)計。
除了人形機器人之外，GaN技術(shù)也是其他類型機器人（協(xié)作機器人、外科手術(shù)機器人、AGV）、工業(yè)伺服系統(tǒng)、家用電器和其他需要高功率密度的應(yīng)用的理想選擇。
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