【ZiDongHua 之“半導體產業(yè)鏈”收錄關鍵詞： 璞璘科技 半導體 納米壓印技術】
　　
　　璞璘科技交付中國首臺半導體級步進納米壓印光刻系統(tǒng)!——致敬納米壓印技術發(fā)明30周年
　　
　　2025年8月1日，我司自主設計研發(fā)的首臺PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設備順利通過驗收并交付至國內特色工藝客戶。此次設備交付是我司業(yè)務拓展和市場滲透的新里程碑，標志著我司在高端半導體裝備制造領域邁出堅實的一步。
 
　　
　　NEWS               
　　
　　 PL-SR系列
　　
　　PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設備攻克了步進硬板的非真空完全貼合、噴膠與薄膠壓印、壓印膠殘余層控制等關鍵技術難題，可對應線寬＜10nm 的納米壓印光刻工藝。該設備配備自主研發(fā)的模板面型控制系統(tǒng)、納米壓印光刻膠噴墨算法系統(tǒng)、噴墨打印材料匹配，并搭配了自主開發(fā)的軟件控制系統(tǒng)。該款設備目前已經(jīng)初步完成儲存芯片、硅基微顯、硅光及先進封裝等芯片研發(fā)驗證。
 
　　
　　PL-SR系列成功攻克噴墨涂膠工藝多項技術瓶頸，在噴涂型納米壓印光刻材料方面實現(xiàn)重大突破。在半導體級芯片壓印工藝中，芯片結構通常為變占空比、多周期變化的納米結構。這種復雜的結構設計需對局部膠量精準控制，根據(jù)結構變化動態(tài)調節(jié)壓印膠的噴涂量，從而獲得薄而一致的殘余層厚度。PL-SR系列通過創(chuàng)新材料配方與工藝調控，提高膠滴密度與鋪展度，成功實現(xiàn)了納米級的壓印膜厚，平均殘余層＜10nm，殘余層變化＜2nm，壓印結構深寬比>7:1的技術指標。發(fā)展了匹配噴膠步進壓印工藝與后續(xù)半導體加工工藝的多款納米壓印膠體系，特別是開發(fā)了可溶劑清洗的光固化納米壓印膠，解決了昂貴石英模板可能被殘留壓印膠污染的潛在風險，為高精度步進納米壓印提供了可靠材料保障。
 
　　
　　此外，PL-SR系列還突破了納米壓印模板面型控制的技術難點。在高端芯片極小線寬壓印過工藝中，壓印模板采用的是硬質的石英模板，因為石英與硅晶圓先天性具有一定的翹曲率，從而在整個納米壓印過程中要求對模板進行面型控制才能達到完美的貼合狀態(tài)。與此同時，高端芯片極小結構壓印所需納米壓印膠量極少，大約十納米級的厚度，這更增加了模板和襯底貼合的難度。我司自主研發(fā)的納米壓印模板面型控制技術解決了上述的技術難點。
　　
　　納米壓印模板貼合與脫模過程
　　
　　與光刻工藝流程一樣，在納米壓印工藝完成后下一道工序是刻蝕工藝，從而對壓印的均勻性，穩(wěn)定性要求極高。尤其對壓印殘余層的控制要求極高。我司針對這一技術難點，對壓印設備，材料，工藝系統(tǒng)的進行優(yōu)化，可實現(xiàn)無殘余層壓印工藝。
　　
　　在高端半導體制造領域，業(yè)界要求對準精度需突破10nm以下，甚至向1nm級逼近。這一技術指標的實現(xiàn)，其難度與成本已與國際主流極紫外光刻（EUV）設備處于同一量級。我司認為，要突破納米級對準這一"卡脖子"技術，必須整合產業(yè)鏈優(yōu)勢資源。璞璘科技秉持開放創(chuàng)新的合作理念，特別期待與國內在精密對準領域具有技術積累的科研院所和企業(yè)開展深度合作。通過聯(lián)合攻關，共同打造具有國際競爭力的高端步進納米壓印設備，助力我國在下一代芯片制造裝備領域實現(xiàn)自主可控。
　　
　　NEWS                  拼版應用PL-SR是一種通用的重復步進納米壓印光刻系統(tǒng)，其具有高效、高精度的壓印功能，此外還具備拼接復雜結構的性能。PL-SR采用高精度的噴墨打印式涂膠方案，與此同時還可以輔助高精度的對準功能，可實現(xiàn)高精度拼接對準精度要求的納米壓印工藝。此外，PL-SR重復步進壓印系統(tǒng)還可滿足模板拼接的需求，最小可實現(xiàn)20mmx20mm的壓印模板均勻的拼接，最終可實現(xiàn)300mm(12in)晶圓級超大面積的模板。
　　
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