芯連鑫半導(dǎo)體三維相變存儲(chǔ)器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目啟動(dòng) | 瞄準(zhǔn)下一代存儲(chǔ)技術(shù),新型存儲(chǔ)器項(xiàng)目落戶
【ZiDongHua之“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈”收錄關(guān)鍵詞:芯連鑫半導(dǎo)體 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 新型存儲(chǔ)器PCM 智能汽車 武漢】
瞄準(zhǔn)下一代存儲(chǔ)技術(shù),新型存儲(chǔ)器項(xiàng)目落戶
近日,武漢經(jīng)開區(qū)與芯連鑫(武漢)半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱芯連鑫半導(dǎo)體)正式簽約,“三維相變存儲(chǔ)器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”正式啟動(dòng)。

據(jù)了解,該項(xiàng)目將在武漢經(jīng)開區(qū)建設(shè)研發(fā)中心,項(xiàng)目聚焦于突破現(xiàn)有存儲(chǔ)技術(shù)瓶頸,專注于新型存儲(chǔ)器PCM的解決方案,在AI算力網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心、智能汽車領(lǐng)域等方面提供有力支撐。
行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)長(zhǎng)期由三星、美光等國外企業(yè)主導(dǎo),盡管國內(nèi)企業(yè)在NAND閃存、DRAM芯片等領(lǐng)域取得突破,但現(xiàn)有技術(shù)仍無法滿足AI算力網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的綜合性能要求。
芯連鑫半導(dǎo)體有關(guān)負(fù)責(zé)人透露,其研發(fā)的PCM產(chǎn)品,通過材料創(chuàng)新和三維堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度與速度的雙重突破。
值得關(guān)注的是,作為武漢“光芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)集群的重要補(bǔ)充,項(xiàng)目不僅將配套開發(fā)內(nèi)存控制芯片、智能網(wǎng)卡光模塊等關(guān)鍵器件,更計(jì)劃構(gòu)建從芯片設(shè)計(jì)到模組集成的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
據(jù)悉,芯連鑫半導(dǎo)體已與廣西天山電子等企業(yè)建立戰(zhàn)略合作,其研發(fā)成果將率先應(yīng)用于AI服務(wù)器和車載智能系統(tǒng)。
來源:武漢經(jīng)開區(qū)
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