EDA工具 | 北京大學EDA研究院開源工具資源
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為促進EDA行業(yè)發(fā)展,為促進集成電路領(lǐng)域產(chǎn)學研融合,研究院致力于學界和產(chǎn)業(yè)各同僚互幫互助,現(xiàn)將北京大學EDA研究院EDA相關(guān)開源資源匯總?cè)缦?,產(chǎn)學界相關(guān)人士可通過下述渠道獲取。未來,研究院將會繼續(xù)發(fā)布更多開源資源供大家使用。

EDA相關(guān)開源資源匯總
01
SAGERoute
可執(zhí)行文件開源,https://github.com/PKU-IDEA/SAGERoute
資源簡介:
SAGERoute是一款面向模擬集成電路的布線工具。該工具在模擬電路布線中考慮幾何和電氣約束,支持手工或自動布局作為輸入,可在秒級生成布線方案,并在常見模擬電路上達到接近手工布線的性能。SAGERoute由北京大學團隊發(fā)布并維護。研究院同時提供模擬/混合信號電路版圖自動布線的定制化服務。
02
OpenPARF
https://github.com/PKU-IDEA/OpenPARF
資源簡介:
OpenPARF是一款面向FPGA芯片的布局布線工具。該工具基于深度學習包PyTorch開發(fā),支持CPU和GPU計算平臺。OpenPARF可以支持FPGA中常見的LUT、FF、DSP、BRAM、IO、Distributed RAM、Shift等資源、SLICEL-SLICEM異構(gòu)類型和時鐘布線等約束。OpenPARF由北京大學團隊發(fā)布并維護。
03
DREAMPlace 4.0
https://github.com/limbo018/DREAMPlace
資源簡介:
DREAMPlace是一款基于深度學習框架的數(shù)字集成電路布局工具。該工具基于深度學習包PyTorch開發(fā),支持CPU和GPU計算平臺。利用GPU異構(gòu)并行可以較傳統(tǒng)CPU并行算法實現(xiàn)30倍以上效率提升。DREAMPlace初始版本由德克薩斯大學奧斯汀分校團隊發(fā)布,后續(xù)版本由北京大學和香港中文大學團隊發(fā)布并維護,現(xiàn)發(fā)布版本是4.0版本。
04
OpenMPL
https://github.com/limbo018/OpenMPL
資源簡介:
OpenMPL是一款面向多重掩膜光刻的版圖分解工具。該工具支持三重和四重掩膜光刻下的版圖分解任務,支持Stitch插入,并實現(xiàn)了包括ILP、SDP、LP、Dancing Links等在內(nèi)的多個主流算法。OpenMPL由北京大學、香港中文大學、德克薩斯大學奧斯汀分校等團隊發(fā)布,目前由北京大學和香港中文大學團隊維護。
05
Limbo
https://github.com/limbo018/Limbo
資源簡介:
Limbo是一個開源庫,實現(xiàn)了EDA流程中多個常用格式的解析器、常用算法及組件等,提高EDA工具開發(fā)的效率。Limbo初始版本由德克薩斯大學奧斯汀分校團隊發(fā)布,目前由北京大學團隊維護。
06
RTN模型及其參數(shù)提取和仿真技術(shù)
發(fā)送郵件至opensource@pkueda.org.cn索取
資源簡介:
針對先進工藝器件中的愈發(fā)顯著的隨機電報噪聲(random telegraph noise, RTN)效應,北京大學團隊建立了精確描述RTN效應的集約模型,涵蓋準確的瞬態(tài)特性,尺寸、電壓等依賴特性以及統(tǒng)計特性,并配合智能化的參數(shù)提取技術(shù),同時,建立了高效的支持包含RTN效應電路仿真技術(shù)。
07
先進模型接口AMI
發(fā)送郵件至opensource@pkueda.org.cn索取
資源簡介:
針對先進工藝模型開發(fā)以及DFR等高階效應的建模,北京大學團隊聯(lián)合國內(nèi)的相關(guān)企業(yè),建立了先進模型接口(AMI)的技術(shù)標準,支持定制化模型,并支持模型與電路仿真器的融合。
08
可靠性設計模型及其參數(shù)提取和仿真技術(shù)
發(fā)送郵件至opensource@pkueda.org.cn索取
資源簡介:
針對先進工藝節(jié)點的可靠性設計(DFR),研究院團隊建立了基于缺陷物理的可靠性集約模型,涵蓋BTI和HCI等效應,并配合智能化的參數(shù)提取技術(shù),同時建立了高效的電路可靠性仿真技術(shù)。研究院同時提供可靠性建模的定制化服務。
09
新興器件的集約模型
(1)RRAM(阻變器件)模型
https://nanohub.org/publications/403/1
資源簡介:
RRAM廣泛應用于先進存儲和存算一體芯片中,針對RRAM豐富的阻變特性,北京大學團隊建立可精確描述RRAM電學特性的集約模型,可準確描述多值緩變、概率阻變、閾值突變等存算特性以及漲落等可靠性行為,模型支持采用SPICE進行與晶體管等其他元器件的混合電路仿真,開展存算功能的驗證,實現(xiàn)速度和能耗的評估。
(2)鐵電電容模型
https://nanohub.org/publications/518/1
資源簡介:
鐵電電容FeCAP(Ferroelectric Capacitance)是鐵電隨機存儲器FeRAM、鐵電晶體管FeFET等的基礎結(jié)構(gòu)。北京大學團隊針對氧化鉿基礎的鐵電電容建立可準確描述FeCAP電學特性的集約模型,涵蓋部分極化、極化動態(tài)翻轉(zhuǎn)、鐵電疇隨機翻轉(zhuǎn)等特性在內(nèi)的成核限制翻轉(zhuǎn)行為, 并支持基于FeCAP的FeFET等鐵電器件的電路仿真,開展新型存儲、神經(jīng)形態(tài)計算等的設計和驗證。
還將陸續(xù)發(fā)布其它新興器件的模型,敬請期待。
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