【ZiDongHua 之新品發(fā)布臺文收錄關(guān)鍵詞：傳感器 MEMS 微機電系統(tǒng) 集成電路】

X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能

為醫(yī)療、汽車和工業(yè)客戶提供集更高靈敏度、更大像素尺寸和感光面積于一體的傳感器工藝平臺

中國北京，2024年4月9日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，其光學傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。

BSI工藝截面示意圖

通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗光條件下，這種優(yōu)勢尤為顯著。同時，由于光路縮短，BSI工藝還能有效減少相鄰像素間的串擾，進而提升圖像的成像質(zhì)量。盡管目前BSI技術(shù)已經(jīng)相當普遍地應用于300毫米晶圓，并廣泛用在消費級的小像素圖像傳感器上，但針對200毫米晶圓市場，主要應用在工業(yè)醫(yī)療汽車等領(lǐng)域；或者對于需要通過拼接式大像素圖像傳感器，尤其是在需要額外定制化的場景中，市場上BSI工藝的選擇卻十分有限。因此，X-FAB在原有廣受好評的CMOS傳感器工藝平臺XS018中新加入了BSI功能，為不同細分市場帶來全新可能性，無論是X射線診斷設(shè)備、工業(yè)自動化系統(tǒng)、天文研究，還是機器人導航、車載前置攝像頭等，客戶都能夠輕松地應對最嚴苛的應用需求。

XS018 CMOS傳感器平臺具有讀出速度快、暗電流低等特點，客戶還能夠在該平臺選擇多種不同的外延層厚度從而實現(xiàn)針對不同應用場景的圖像傳感器。除此之外，通過BSI工藝，客戶還可選擇添加ARC層，并可以根據(jù)不同的特殊應用要求進行調(diào)整。隨附的X-FAB設(shè)計支持包覆蓋了從初始設(shè)計到工程樣品裝運的完整工作流程，其中還包括完善的PDK。

“BSI技術(shù)能夠?qū)⒏泄庠糜诟咏庠吹奈恢?，并避免不必要的電路阻礙來提高圖像成像能力，因此在現(xiàn)代成像器件中得到日益廣泛的應用。事實證明，這在暗光環(huán)境中非常有用。”X-FAB光學傳感器技術(shù)營銷經(jīng)理Heming Wei表示，“盡管此類應用之前主要集中在消費電子領(lǐng)域，但目前工業(yè)、汽車和醫(yī)療市場也涌現(xiàn)出大量需求。借助X-FAB的BSI工藝，可以集合更高感光度、更大傳感器尺寸以及像素容量等優(yōu)勢，推出市場信服的產(chǎn)品，更大程度滿足工業(yè)，汽車，醫(yī)療不同的應用需求。”

縮略語：

ARC 抗反射涂層

BSI 背照技術(shù)

CMOS 互補金屬氧化物半導體

PDK 工藝設(shè)計套件

###

關(guān)于X-FAB：

X-FAB是領(lǐng)先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團，生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費、醫(yī)療和其它應用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0µm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機電系統(tǒng)（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質(zhì)量標準、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn)，并在全球擁有約4,200名員工。