【自動對焦：MOSFET】金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（ l-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

 

 

東芝推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”

 

 

中國上海，2022年3月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設備開關電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。

 

與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優(yōu)化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開關電源的電磁干擾（EMI）。該產品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。

 

與此同時，東芝還提供各類工具，為開關電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現在還提供能精確再現瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

 

 

東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。

 

 

  • 應用：

 

 

- 通信設備電源

 

 

- 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

 

 

  • 特性：

 

 

- 優(yōu)異的低損耗特性（在導通電阻和柵開關電荷及輸出電荷間取得平衡）

 

 

- 卓越的導通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

 

 

- 高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃

 

 

  • 主要規(guī)格：

 

 

（除非另有說明，@Ta＝25℃）

 

 

注：

 

 

[1] 截至2022年3月的東芝調查。

 

 

[2] 柵極開關電荷和輸出電荷。

 

 

[3] 與現有產品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，該產品將漏源導通電阻×柵開關電荷提高了大約20%，漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。

 

 

 

貝恩資本考慮向東芝提出收購

 

中新經緯4月1日電 據華爾街中文網1日報道，東芝最大股東有意愿將持有股份出手給美國私募股權集團貝恩資本，貝恩資本也提出希望與多方討論，但暫未做決定。

報道提到，東芝最大股東Effissimo資本管理公司在一份監(jiān)管文件中表示，如果貝恩資本發(fā)起收購，Effissimo將出售持有的全部東芝股份，Effissimo持有東芝約9.9%股份。

報道提到，貝恩資本表示，希望與東芝公司管理層、日本政府、金融機構進行認真仔細的討論。該公司提醒說，目前尚未做出任何決定，要發(fā)起收購東芝的私有化還有許多問題需要解決。

報道提到，東芝發(fā)言人表示，該公司目前尚未收到貝恩的任何收購提議，該公司也不了解Effissimo與貝恩之間協議的細節(jié)。

據路透社報道，此前，東芝計劃分拆包括半導體在內的設備業(yè)務，使其上市。

報道提到，在經歷試圖一分為三卻遭到股東的猛烈批評后，東芝表示分拆為兩家公司的安排將比最初的計劃更節(jié)省成本，也會更順利。

但這一計劃也遭到股東否決。華爾街中文網此前報道提到，外國股東反抗強烈，一些外國股東希望將東芝拍賣給出價最高者。(中新經緯APP)