東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

 

中國上海，2021年2月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。

集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”

為達(dá)到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對高效緊湊設(shè)備的需求。

 

  • 應(yīng)用

?用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器

?可再生能源發(fā)電系統(tǒng)

?工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備

 

  • 特性

?漏源額定電壓：VDSS＝3300V

?漏極額定電流：ID＝800A雙通道

?寬通道溫度范圍：Tch＝175℃

?低損耗：

Eon＝250mJ（典型值）

Eoff＝240mJ（典型值）

VDS(on)sense＝1.6V（典型值）

?低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）

?高功率密度的小型iXPLV封裝

 

  • 主要規(guī)格

主要參數(shù)指標(biāo)