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- 安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型
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最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達(dá) 50%
2024-07-30 15:50:18
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- GaN HEMT驅(qū)動(dòng)芯片NSD2017助力應(yīng)對(duì)激光雷達(dá)應(yīng)用挑戰(zhàn)
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自動(dòng)駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向，而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級(jí)別自動(dòng)駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。
2024-07-01 12:56:47
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- 意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
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ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測(cè)綜合基地。
2024-06-07 15:39:23
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- 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器！
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使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器！
2024-06-03 23:01:09
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- 與非網(wǎng)第三屆"汽車技術(shù)論壇 "將于5月22日舉行
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與非網(wǎng)第三屆 "汽車技術(shù)論壇 "將于2024年5月22日在線召開(kāi)。這是一場(chǎng)面向產(chǎn)業(yè)上下游的行業(yè)盛會(huì)，匯集來(lái)自汽車領(lǐng)域的眾多技術(shù)專家，共同探討行業(yè)的發(fā)展動(dòng)向，為專業(yè)人士搭建深度洞察和討論汽車技術(shù)應(yīng)用的平臺(tái)。新能源汽車、風(fēng)光儲(chǔ)能等清潔能源的興起，
2024-05-16 09:01:29
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- Vishay的新款80 V對(duì)稱雙通道 MOSFET的RDS(ON) 達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出新型80 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3 3 mm x 3 3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。
2024-03-14 16:34:45
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- 國(guó)基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技術(shù)攻關(guān)，打造汽車電子中國(guó)“芯”
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超凈廠房里，科研人員坐在電腦前操控，一臺(tái)臺(tái)精密儀器自動(dòng)化運(yùn)行；生產(chǎn)車間里，比繡花針還細(xì)的測(cè)試探針在芯片間高速移動(dòng)，這是自動(dòng)測(cè)試臺(tái)在對(duì)一片已完工的6英寸碳化硅晶圓進(jìn)行測(cè)試…
2024-02-29 11:29:23
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- 東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET，助力提高電源效率
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【ZiDongHua之新品發(fā)布臺(tái)文收錄關(guān)鍵詞：東芝調(diào)節(jié)器二極管MOSFET】東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET，助力提高電源效率中國(guó)上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI
2024-02-22 15:12:28
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- Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK? 1212-F封裝的TrenchFET? 第五代功率MOSFET
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3 3 mm x 3 3 mm PowerPAK
2024-02-20 16:00:30
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- 意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)
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服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST) 與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動(dòng)車的中國(guó)新能源汽車龍頭廠商理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅
2023-12-22 16:25:14
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- “芯”火燎原丨中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線
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11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)
2023-12-01 17:11:34
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- 東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-11-08 17:01:49
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- 安森美可再生能源與電動(dòng)汽車應(yīng)用技術(shù)大會(huì)開(kāi)啟在即
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2023年11月1日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi) 將于11月14日、16日及21日分別于深圳、蘇州、上海舉行“安森美可再生能源與電動(dòng)汽車應(yīng)用技術(shù)大會(huì)”。
2023-11-01 18:29:43
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- 碳化硅將推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展
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雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動(dòng)力、純電動(dòng)等各種形式的電動(dòng)汽車 (EV) 正被越來(lái)越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動(dòng)汽車的行駛里程并縮短充電時(shí)間，以克服這個(gè)影響采用率的重要障礙。
2023-09-18 20:28:58
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- 東芝進(jìn)一步擴(kuò)展Thermoflagger?產(chǎn)品線---檢測(cè)電子設(shè)備溫升的簡(jiǎn)單解決方案
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中國(guó)上海，2023年9月14日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，進(jìn)一步擴(kuò)展ThermoflaggerTM過(guò)溫檢測(cè)IC產(chǎn)品線---“TCTH0xxxE系列”。該系列可用于具有正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻的簡(jiǎn)單電路中，用來(lái)檢測(cè)電子設(shè)備中的溫度升高，六款新產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-09-15 16:14:15
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- 意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能
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意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅（SiC）功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)? 博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）將
2023-09-14 17:51:01
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- 大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon產(chǎn)品的140W電源適配器方案
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2023年9月7日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XDPS2221芯片的140W電源適配器方案。
2023-09-07 17:00:36
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- Vishay推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的小型6 A、20 A和25 A降壓穩(wěn)壓器模塊，提高POL轉(zhuǎn)換器功率密度
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microBRICK器件采用10 6 mm x 6 5 mm x 3 mm封裝，小于競(jìng)品解決方案69 %，輸入電壓4 5 V至 60 V美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年9月6日
2023-09-07 16:59:00
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- 東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝
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中國(guó)上海，2023年8月31日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-08-31 22:50:05
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- 東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-29 17:22:24
