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- 中科院理化所在高鐵大功率 IGBT 模塊熱管理輻射冷卻應(yīng)用技術(shù)研究方面取得新進(jìn)展
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大功率絕緣柵雙極晶體管（又稱IGBT）作為高鐵列車電能轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵陌雽?dǎo)體功率器件，其性能直接決定了高鐵列車牽引系統(tǒng)的牽引效率、運(yùn)行速度以及能耗水平等三大關(guān)鍵指標(biāo)。隨著高鐵IGBT模塊的功率持續(xù)攀升至萬(wàn)瓦級(jí)，其熱管理挑戰(zhàn)日益嚴(yán)峻。
2025-05-08 16:45:43
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- 產(chǎn)業(yè)燈塔在光谷點(diǎn)亮，2025九峰山論壇開(kāi)幕，全球化合物半導(dǎo)體行業(yè)龍頭悉數(shù)到場(chǎng)
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智匯光谷、激活未來(lái)，4月23日上午，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在光谷開(kāi)幕。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合主辦。
2025-04-24 10:09:53
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- 4月光谷見(jiàn)！2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)即將盛大啟幕
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4月10日，東湖高新區(qū)舉辦新聞發(fā)布會(huì)正式官宣——由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合主辦的第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將于4月23日至25日在中國(guó)光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕！
2025-04-11 14:17:16
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- CSE 2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
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中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE），打造全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)。CSE攜手海內(nèi)外化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)企業(yè)和專業(yè)人士，定期舉辦行業(yè)最高規(guī)格展會(huì)及專業(yè)高峰論壇（JFSC），為學(xué)術(shù)界及全產(chǎn)業(yè)鏈提供高效的交流和成果展示平臺(tái)，積極推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域科學(xué)進(jìn)步
2025-01-14 16:27:09
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- 沉淀共進(jìn) 應(yīng)變求新！ COMSOL主題日系列活動(dòng)光學(xué)專場(chǎng)順利舉辦
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在COMSOL主題日系列活動(dòng)光學(xué)專場(chǎng)中，多位行業(yè)專家分享了多物理場(chǎng)仿真技術(shù)在光學(xué)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用及其所展現(xiàn)出的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，深入剖析了如何使用多物理場(chǎng)仿真助力光學(xué)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與突破。全球領(lǐng)先的仿真軟件供應(yīng)商COMSOL公司順利舉辦了聚焦光學(xué)領(lǐng)域的
2024-08-24 16:39:41
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- COMSOL主題日系列活動(dòng)微電子器件專場(chǎng)成功舉辦
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在COMSOL主題日系列活動(dòng)微電子器件專場(chǎng)中，多位行業(yè)專家分享了多物理場(chǎng)仿真在微電子器件設(shè)計(jì)和優(yōu)化中的強(qiáng)大應(yīng)用及領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，共同探討如何使用多物理場(chǎng)仿真助力微電子器件領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。
2024-06-07 01:16:06
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- Vishay的新款80 V對(duì)稱雙通道 MOSFET的RDS(ON) 達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出新型80 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3 3 mm x 3 3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。
2024-03-14 16:34:45
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- Axcelis 宣布參與 2024 年上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì) (SEMICON China)
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美通社 --AxcelisTechnologies,Inc （納斯達(dá)克股票代碼：ACLS），一家致力于為半導(dǎo)體行業(yè)提供離子注入解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，今日宣布將參與2024年SEMICONChina期間舉辦的功率及化合物半導(dǎo)體論壇。該活動(dòng)將于2024年3月20日至2024年3月22日在上海新
2024-03-14 18:53:08
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- 東芝推出用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。這兩款器件的輸出電流（DC）額定值分別為1A和2A，于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-10-27 11:03:22
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- 東芝推出用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）——“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。這兩款器件的輸出電流（DC）額定值分別為1A和2A
2023-10-26 14:27:20
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- 東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-29 17:22:24
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- 東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL?（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-18 00:08:03
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- 碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)軍者「泰科天潤(rùn)」獲海爾創(chuàng)投等數(shù)億元E輪投資
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在“碳達(dá)峰、碳中和”的大背景下，綠色電力、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等新能源行業(yè)迅猛發(fā)展，電氣化和能源的高效利用將推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，隨著國(guó)家“新基建”戰(zhàn)略的實(shí)施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高
2023-08-17 17:42:09
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- 瑞能半導(dǎo)體全球首座模塊工廠在上海灣區(qū)高新區(qū)正式投入運(yùn)營(yíng) | 將主要生產(chǎn)應(yīng)用于消費(fèi)、通訊、新能源以及汽車相關(guān)的各類型功率模塊產(chǎn)品
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7月25日，瑞能微恩半導(dǎo)體暨瑞能金山模塊廠開(kāi)業(yè)典禮在上海灣區(qū)高新區(qū)隆重舉行，標(biāo)志著瑞能全球首座模塊工廠正式投入運(yùn)營(yíng)，將主要生產(chǎn)應(yīng)用于消費(fèi)、通訊、新能源以及汽車相關(guān)的各類型功率模塊產(chǎn)品，串聯(lián)客戶和生態(tài)圈，積極推動(dòng)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
2023-07-27 09:15:11
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- 2023 中國(guó)IC設(shè)計(jì)100 排行榜
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AspenCore 2023中國(guó)IC設(shè)計(jì)Fabless 100排行榜共分為12大技術(shù)類別，每個(gè)類別評(píng)選出Top 10。
2023-07-14 00:32:30
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- 安森美主驅(qū)功率模塊產(chǎn)品線經(jīng)理 Bryan Lu：SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
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前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。
2023-07-12 03:09:23
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- 深化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局！南昌市產(chǎn)投集團(tuán)投資助力中芯集成首發(fā)上市
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近日，南昌市產(chǎn)投集團(tuán)所屬投資平臺(tái)南昌新世紀(jì)創(chuàng)投公司參與投資的紹興中芯集成電路制造股份有限公司（股票代碼：688469）正式在上海證券交易所科創(chuàng)板掛牌上市。
2023-05-21 17:00:12
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- 減小電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器的尺寸與重量并提高續(xù)航里程|安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
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極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這些功率器件提供更高的功率和熱能效，從而減小其電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器的尺寸與重量，并提高續(xù)航里程。
2023-04-26 10:29:41
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- 材料科學(xué)與工程|安森美：揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
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JTE技術(shù)可以在SiC MOSFET的邊緣區(qū)域形成一些深度摻雜的控制區(qū)域，這些區(qū)域可以有效地抑制移動(dòng)離子的漂移。此外，JTE技術(shù)還可以在控制區(qū)域中引入一些特殊的物質(zhì)，例如氮、硼等，這些物質(zhì)可以與移動(dòng)離子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而減少其在MOSFET中的積累和漂移。
2023-04-04 15:46:05
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- 大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon iMotion產(chǎn)品的吊扇方案
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2022年11月17日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）IMD112T芯片的吊扇方案。
2022-11-17 16:20:03
