【ZiDongHua之創(chuàng)新自化成收錄關(guān)鍵詞：長光華芯 通信行業(yè) 芯片設計 半導體 激光器】
 
　　創(chuàng)新技術(shù)獎丨長光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片
 
　　12月6日，2024年度ICC訊石光通信行業(yè)英雄榜頒獎典禮在蘇州舉辦，長光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片榮獲創(chuàng)新技術(shù)獎！
 
 
　　ICC訊石·光通信行業(yè)英雄榜從光通信產(chǎn)業(yè)鏈入手，從參選產(chǎn)品的技術(shù)、成本、市場占有率、客戶滿意度和第三方權(quán)威驗證等數(shù)據(jù)選出獲獎產(chǎn)品，經(jīng)過十一年的發(fā)展，訊石英雄榜已成為光通信行業(yè)年度頂尖評選盛會之一，其中，創(chuàng)新技術(shù)獎旨在表彰2024年度在補短板、填空白或?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代方面具有重要意義的產(chǎn)品。
 
　　850nm 100G PAM4 VCSEL芯片
 
 
　　本次獲獎的850nm 100G PAM4 VCSEL芯片產(chǎn)品在帶寬、RIN等關(guān)鍵特性方面媲美業(yè)界頂尖水平：
 
　　1）常溫帶寬典型值28GHz，RIN典型值＜150dB/Hz；
 
　　2）波長＜863nm，滿足IEEE100m OM4多模光纖傳輸標準要求；
 
　　3）優(yōu)秀的抗反射性能，保障客戶模塊在0-70℃全溫范圍工作BER無跳變；
 
　　芯片滿足400G VR4/SR4/AOC、800G VR8/SR8/AOC應用，產(chǎn)品嚴格按照GR468標準完成可靠性認證。
 
　　套片產(chǎn)品在客戶處驗證表現(xiàn)優(yōu)異，滿足100m OM4傳輸，良率高，代表了國產(chǎn)芯片在行業(yè)內(nèi)高性能和高質(zhì)量的水平。
 
　　一站式IDM全流程工藝平臺
 
 
　　歷經(jīng)十余年發(fā)展，長光華芯建立了從芯片設計、MOCVD（外延）、光刻、解理/鍍膜、封裝測試等完善的一站式IDM全流程平臺，在高速率光通信芯片研發(fā)過程中，攻克了二次外延對接工藝、含AL材料外延生長、特殊抗反射設計、腔面鈍化鍍膜等關(guān)鍵技術(shù)。100G VCSEL產(chǎn)品的開發(fā)和量產(chǎn)自主可控，在量產(chǎn)穩(wěn)定性和可靠性上，相比于代工模式具有顯著產(chǎn)能和質(zhì)量管控優(yōu)勢。
 
　　短距互聯(lián)光芯片一站式IDM解決方案商
 
　　長光華芯已形成全面、豐富的通信光芯片產(chǎn)品矩陣，可滿足超大容量的數(shù)據(jù)通信需求，距離上覆蓋VR、SR、DR、FR等，速率上覆蓋單波25G、50G、100G?？煽焖俳鉀Q高端光芯片產(chǎn)能短缺和成本痛點，是短距互聯(lián)光芯片一站式IDM解決方案商！
 
　　豐富的半導體激光芯片平臺
 
　　長光華芯專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導體激光芯片，核心技術(shù)覆蓋半導體激光行業(yè)最核心的領(lǐng)域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題，建成了完全自主可控的從芯片設計、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線，擁有2吋、3吋、6吋三大量產(chǎn)線，邊發(fā)射EEL、面發(fā)射VCSEL兩大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，GaAs砷化鎵、InP磷化銦、GaN氮化鎵三大材料體系，是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導體激光器企業(yè)之一，面向未來，我們正積極開發(fā)演進下一代光芯片平臺技術(shù)和產(chǎn)品。