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SiC

2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)今日開幕

4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“2024九峰山論壇”）在武漢中國(guó)光谷科技會(huì)展中心開幕。
2024-04-10 15:27:38
鈞聯(lián)電子自主研發(fā)的SiC功率模塊順利通過(guò)AQG-324認(rèn)證

2024年3月，合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鈞聯(lián)電子”）自主研發(fā)的 SiC 功率模塊（型號(hào)JLBH800N120SAM）順利通過(guò)AQG-324車規(guī)級(jí)功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證，廣電計(jì)量提供本次AQG324車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試服務(wù)方案。
2024-04-09 16:19:46
博世半導(dǎo)體業(yè)務(wù)取得成功，將首先向中國(guó)車企提供節(jié)能芯片

全球最大的汽車零部件供應(yīng)商正在成功轉(zhuǎn)型為半導(dǎo)體制造商：博世的碳化硅SiC節(jié)能芯片在中國(guó)贏得了知名客戶的青睞。
2024-03-26 22:11:59
環(huán)旭電子推出創(chuàng)新型150KW功率模組，適用于電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)逆變器

全球電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者USI環(huán)旭電子（上海證券交易所代碼：601231）今日宣布其功率模組團(tuán)隊(duì)正式啟動(dòng)了一項(xiàng)開創(chuàng)性的聯(lián)合設(shè)計(jì)制造（JDM）項(xiàng)目，為電動(dòng)車（xEVs）驅(qū)動(dòng)逆變器打造一款名為 "磁歐石 "的創(chuàng)新型150KW功率模組（如圖一）。這款產(chǎn)品的
2024-03-18 01:27:22
Qorvo? 推出緊湊型 E1B 封裝的 1200V SiC 模塊

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9 4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應(yīng)用。
2024-02-29 12:21:58
2023年度武漢十大科技新聞揭曉！

2023年度武漢十大科技新聞揭曉！
2024-02-27 15:34:16
納芯微推出NSI22C1x系列隔離式納芯微電子，助力打造更可靠的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

納芯微今日宣布推出基于電容隔離技術(shù)的隔離式比較器NSI22C1x系列，該系列包括用于過(guò)壓和過(guò)溫保護(hù)的隔離式單端比較器NSI22C11和用于過(guò)流保護(hù)的隔離式窗口比較器NSI22C12。
2024-02-21 09:58:10
安森美和理想汽車?yán)m(xù)簽戰(zhàn)略協(xié)議，共同打造下一代800V智能電動(dòng)車

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美，宣布和豪華智能電動(dòng)車品牌理想汽車(Li Auto)續(xù)簽長(zhǎng)期供貨協(xié)議。理想汽車在其增程式電動(dòng)車型(EREV)中采用安森美成熟的800萬(wàn)像素圖像傳感器。此協(xié)議簽訂后，理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美
2024-01-09 13:01:25
安森美發(fā)布直流超快充電樁方案解決電動(dòng)汽車普及的關(guān)鍵難題

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM)，可為電動(dòng)汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS) 提供雙向充電功能?；谔蓟璧慕鉀Q方案將具備更高的效率和更簡(jiǎn)單的冷卻機(jī)制，顯著降低系統(tǒng)成本
2024-01-08 15:06:16
安森美(onsemi)：2023年度精選工業(yè)方案

隨著安森美 (onsemi) 在 2023 年度圓滿收官，我們對(duì)過(guò)去一年所取得的成就深感欣慰。我們由衷感激所有的員工和客戶，一路以來(lái)支持我們繼續(xù)踐行“智能技術(shù)，美好未來(lái)”的理念，安森美也一直致力于開發(fā)智能電源和感知技術(shù)，以攻克各種復(fù)雜的挑戰(zhàn)。
2023-12-28 16:03:45
使用電子保險(xiǎn)絲克服傳統(tǒng)保護(hù)器件的局限性

在現(xiàn)代汽車和工業(yè)應(yīng)用中，可靠性至關(guān)重要。從汽車域控制器，到工業(yè)應(yīng)用中的計(jì)算機(jī)數(shù)控等產(chǎn)品，無(wú)論最終產(chǎn)品是簡(jiǎn)單還是復(fù)雜，如果不能保證可靠性，就很可能損害制造商的聲譽(yù)。此外，還需要考慮保修維修的成本，甚至是召回產(chǎn)品的成本。
2023-12-18 21:47:06
以創(chuàng)新碳化硅技術(shù)賦能，安森美獲ASPENCORE 2023全球電子成就獎(jiǎng)和亞洲金選獎(jiǎng)

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美，宣布其碳化硅仿真工具獲全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)AspenCore頒發(fā)2023全球電子成就獎(jiǎng)(以下簡(jiǎn)稱“WEAA”)之年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)獎(jiǎng)，其1200 V EliteSiC M3S碳化硅器件獲AspenCore亞洲金選獎(jiǎng)
2023-12-11 16:48:27
“芯”火燎原丨中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線

11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)
2023-12-01 17:11:34
安森美韓國(guó)富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成，年產(chǎn)能上限將突破一百萬(wàn)片

碳化硅器件是電動(dòng)汽車 (EV)、能源基礎(chǔ)設(shè)施和大功率 EV 充電樁中進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件。市場(chǎng)對(duì)這些產(chǎn)品的需求迅速增長(zhǎng)，使得對(duì)SiC 芯片的需求激增。在可預(yù)見的未來(lái)，SiC 芯片將供不應(yīng)求。富川晶圓廠的擴(kuò)建解決了市場(chǎng)對(duì)增產(chǎn)的迫切需求，使安森美能夠持續(xù)為客戶提供供應(yīng)保證，并加強(qiáng)
2023-10-25 19:09:12
碳化硅將推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展

　雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動(dòng)力、純電動(dòng)等各種形式的電動(dòng)汽車 (EV) 正被越來(lái)越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動(dòng)汽車的行駛里程并縮短充電時(shí)間，以克服這個(gè)影響采用率的重要障礙。
2023-09-18 20:28:58
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。
2023-09-15 16:48:16
意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能

意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅（SiC）功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)? 博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）將
2023-09-14 17:51:01
Vishay推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的小型6 A、20 A和25 A降壓穩(wěn)壓器模塊，提高POL轉(zhuǎn)換器功率密度

microBRICK器件采用10 6 mm x 6 5 mm x 3 mm封裝，小于競(jìng)品解決方案69 %，輸入電壓4 5 V至 60 V美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年9月6日
2023-09-07 16:59:00
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

中國(guó)上海，2023年8月31日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-08-31 22:50:05
東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-29 17:22:24