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- IGBT器件近些年出現(xiàn)了一種碳化硅新工藝
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【IGBT器件近些年出現(xiàn)了一種碳化硅新工藝】碳化硅的絕緣破壞電場強度是傳統(tǒng)硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工藝生產(chǎn)的功率器件導(dǎo)通電阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作頻率更高，也能夠耐受更高的環(huán)境溫度。背景信息
2015-08-05 09:21:46
