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- 德州儀器在 2025 年 PCIM 上推出功率密度和效率解決方案
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德州儀器汽車系統(tǒng)總監(jiān) Mark Ng 表示： "德州儀器在 PCIM 上展出的廣泛產(chǎn)品組合和深厚的系統(tǒng)設(shè)計(jì)專業(yè)知識，使功率工程師能夠在其下一代應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性和可擴(kuò)展性。例如，在汽車領(lǐng)域，我們高功率密度和高效率的半導(dǎo)體幾乎可以支持系統(tǒng)設(shè)計(jì)的方方面面，從延長續(xù)航里程到優(yōu)
2025-05-08 16:12:51
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- 德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級別、功率密度和效率水平
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新聞亮點(diǎn)：新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的48V集成式熱插拔電子保險絲簡化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，助力設(shè)計(jì)人員達(dá)到6kW以上的功率水平。新型集成式氮化鎵(GaN)功率級采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管外形無引線(TOLL)封裝，將德州儀器的GaN和高性能柵極驅(qū)動器與先進(jìn)
2025-04-10 00:16:47
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- 英飛凌亮相SEMICON China 2025：以SiC、GaN技術(shù)引領(lǐng)低碳化與數(shù)字化未來
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在剛剛落幕的SEMICON China 2025上，全球半導(dǎo)體行業(yè)再度匯聚上海，共同探討產(chǎn)業(yè)未來。
2025-04-08 16:02:10
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- 德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
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德州儀器采用當(dāng)前先進(jìn)的GaN制造技術(shù)，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品新聞亮點(diǎn)：德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。憑借德州儀器品類齊全的GaN集成
2024-10-28 17:12:41
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- 英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革
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憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場快速增長利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全
2024-09-19 00:02:37
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- SK啟方半導(dǎo)體加大力度開發(fā)GaN新一代功率半導(dǎo)體
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韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SKkeyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開發(fā)力度，力爭在年內(nèi)完成開發(fā)工作。SK啟方半導(dǎo)體持續(xù)關(guān)注著GaN功率半導(dǎo)體的市場和潛力。為此，公司于2022年成立
2024-06-19 09:09:52
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- 意法半導(dǎo)體牽手空客: 第三代半導(dǎo)體“上天”，加速飛行電動化|為空客開發(fā)航空級SiC和GaN功率器件
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該合作項(xiàng)目主要圍繞為空客開發(fā)航空級SiC和GaN功率器件、封裝和模塊展開。兩家公司將在電機(jī)控制單元、高低壓電源轉(zhuǎn)換器、無線電能傳輸系統(tǒng)等實(shí)物演示裝置上進(jìn)行高級研究測試，評估功率組件的性能。
2023-06-29 13:30:14
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- 為客戶產(chǎn)品應(yīng)用中的開關(guān)管電壓瞬變尖峰提供了更多的設(shè)計(jì)裕量|Qorvo 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
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亮點(diǎn)：Qorvo的器件具有最低 5 4 mΩ 的導(dǎo)通電阻，比目前市場同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs和 GaN晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10倍。SiC FETs的 750V額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150V，為客戶產(chǎn)品應(yīng)用中的開關(guān)管電壓瞬變尖峰提供了更多的設(shè)計(jì)裕量。
2023-03-21 17:12:45
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- Wolfspeed 碳化硅器件賦能梅賽德斯-奔馳新一代電動汽車平臺
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將為梅賽德斯-奔馳供應(yīng)碳化硅器件，賦能其未來電動汽車平臺，為其動力總成帶來更高效率；產(chǎn)品家族包括了 SiC 材料、功率開關(guān)器件、射頻器件，針對電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和儲能、以及航空航天和國防等多種應(yīng)用。
2023-01-06 18:33:23
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- 基于安森美（onsemi）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服務(wù)器電源方案|大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出|GaN器件成為服務(wù)器電源方案的首要選擇
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【“ZiDongHua ”之半導(dǎo)體元器件GaN器件方案應(yīng)用場:服務(wù)器電源】NCP58921是650V增強(qiáng)型GaN器件，具有150mΩ和50mΩ的導(dǎo)通電阻，適用于所有常見的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。借助GaN的顯著優(yōu)勢，器件可在“硬開關(guān)”應(yīng)用中具有良好表現(xiàn)。
2022-12-22 11:19:13
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- 博格華納向Wolfspeed投資5億美元，保障高達(dá)6.5億美元碳化硅器件年度產(chǎn)能供應(yīng)
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全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。博格華納將向 Wolfspeed 今天早些時候發(fā)布的融資交易投資 5 億美元，以獲取碳化硅器件產(chǎn)能供應(yīng)通道。
2022-11-17 15:59:54
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- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工廠自動化|全球首座 200mm SiC 工廠-WOLFSPEED莫霍克谷全自動新工廠
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【第一對焦：SiC】碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進(jìn)程分為：第一代半導(dǎo)體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度硅），第二代化合物半導(dǎo)體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅、氮化鎵） 。
2022-04-27 11:31:40
