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- MPS發(fā)布高效率高集成ACDC新產(chǎn)品
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MPS芯源系統(tǒng)（NASDAQ代碼：MPWR）近期發(fā)布了兩款新產(chǎn)品：NovoOne開(kāi)關(guān)MPXG2100系列和PFC穩(wěn)壓器MPG44100系列，旨在為快速發(fā)展的快速充電市場(chǎng)、工業(yè)系統(tǒng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品提供高集成度、高性能和經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。a)單極反激-MPXG2100全集成方案b)功率
2025-06-10 22:49:18
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- 德州儀器在 2025 年 PCIM 上推出功率密度和效率解決方案
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德州儀器汽車(chē)系統(tǒng)總監(jiān) Mark Ng 表示： "德州儀器在 PCIM 上展出的廣泛產(chǎn)品組合和深厚的系統(tǒng)設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)，使功率工程師能夠在其下一代應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性和可擴(kuò)展性。例如，在汽車(chē)領(lǐng)域，我們高功率密度和高效率的半導(dǎo)體幾乎可以支持系統(tǒng)設(shè)計(jì)的方方面面，從延長(zhǎng)續(xù)航里程到優(yōu)
2025-05-08 16:12:51
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- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合！兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源解決方案
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今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合
2025-04-09 18:02:01
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- 英飛凌亮相SEMICON China 2025：以SiC、GaN技術(shù)引領(lǐng)低碳化與數(shù)字化未來(lái)
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在剛剛落幕的SEMICON China 2025上，全球半導(dǎo)體行業(yè)再度匯聚上海，共同探討產(chǎn)業(yè)未來(lái)。
2025-04-08 16:02:10
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- 英諾賽科成功上市，氮化鎵功率半導(dǎo)體引領(lǐng)者全“芯”啟航
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2024年12月30日，氮化鎵功率半導(dǎo)體引領(lǐng)者英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，股票代碼02577 HK。上市當(dāng)天，英諾賽科領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)共同在香港敲響了開(kāi)市鐘，慶祝公司股票首日上市交易。
2025-01-02 16:09:20
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- 德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
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德州儀器采用當(dāng)前先進(jìn)的GaN制造技術(shù)，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品新聞亮點(diǎn)：德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個(gè)工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍。德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。憑借德州儀器品類齊全的GaN集成
2024-10-28 17:12:41
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- 英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
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憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng)利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全
2024-09-19 00:02:37
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- SK啟方半導(dǎo)體加大力度開(kāi)發(fā)GaN新一代功率半導(dǎo)體
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韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SKkeyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開(kāi)發(fā)力度，力爭(zhēng)在年內(nèi)完成開(kāi)發(fā)工作。SK啟方半導(dǎo)體持續(xù)關(guān)注著GaN功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)和潛力。為此，公司于2022年成立
2024-06-19 09:09:52
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- 大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案
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2024年1月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC DC電源模塊方案。
2024-01-19 17:27:01
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- 意法半導(dǎo)體量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN：產(chǎn)能充足，即將推出車(chē)規(guī)器件
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意法半導(dǎo)體量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN：產(chǎn)能充足，即將推出車(chē)規(guī)器件如今，開(kāi)發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何
2023-08-03 16:38:47
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- 安賽思：覽新科技發(fā)展 助力雙碳目標(biāo)|與安徽大學(xué)電氣與自動(dòng)化學(xué)院深度合作
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這些產(chǎn)品體現(xiàn)了公司堅(jiān)持“人工智能+電力電子”的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于開(kāi)發(fā)基于碳化硅和氮化鎵的先進(jìn)電力電子產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)替代。
2023-07-10 16:25:09
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- 意法半導(dǎo)體攜手三安光電，推進(jìn)中國(guó)碳化硅生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展
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該合資廠將采用ST的SiC專利制造工藝技術(shù)，專門(mén)為ST生產(chǎn)SiC器件，作為ST的專用晶圓代工廠以滿足其中國(guó)客戶的需求
2023-06-12 10:11:46
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- Wolfspeed 碳化硅器件賦能梅賽德斯-奔馳新一代電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)
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將為梅賽德斯-奔馳供應(yīng)碳化硅器件，賦能其未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)，為其動(dòng)力總成帶來(lái)更高效率；產(chǎn)品家族包括了 SiC 材料、功率開(kāi)關(guān)器件、射頻器件，針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)、快速充電、5G、可再生能源和儲(chǔ)能、以及航空航天和國(guó)防等多種應(yīng)用。
2023-01-06 18:33:23
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- 博格華納向Wolfspeed投資5億美元，保障高達(dá)6.5億美元碳化硅器件年度產(chǎn)能供應(yīng)
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全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。博格華納將向 Wolfspeed 今天早些時(shí)候發(fā)布的融資交易投資 5 億美元，以獲取碳化硅器件產(chǎn)能供應(yīng)通道。
2022-11-17 15:59:54
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- 深圳市關(guān)于促進(jìn)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施（征求意見(jiàn)稿）
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觀察：重點(diǎn)支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等芯片設(shè)計(jì)；硅基集成電路制造；氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體制造；高端電子元器件制造；晶圓級(jí)封裝、三維封裝、Chiplet（
2022-10-11 17:22:16
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- Wolfspeed 將建造全球最大碳化硅材料工廠
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【TWINHOW科技觀察：Wolfspeed、碳化硅】Wolfspeed 于近日宣布，將投入數(shù)十億美元在北卡羅來(lái)納州查塔姆縣（Chatham County）建造全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的碳化硅（SiC）材料制造工廠。這一投資計(jì)劃提升 Wolfspeed 現(xiàn)有碳化硅產(chǎn)能超 10 倍，支持公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略
2022-09-13 17:00:23
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- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工廠自動(dòng)化|全球首座 200mm SiC 工廠-WOLFSPEED莫霍克谷全自動(dòng)新工廠
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【第一對(duì)焦：SiC】碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進(jìn)程分為：第一代半導(dǎo)體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度硅），第二代化合物半導(dǎo)體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅、氮化鎵） 。
2022-04-27 11:31:40
