賓夕法尼亞、MALVERN— 2009 年 6 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件 --- Si7145DP，將10V、4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。憑借這些性能規(guī)格，新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P溝道家族的最新成員--實(shí)現(xiàn)了在這個(gè)電壓等級和占位下最低的導(dǎo)通電阻?！　i7145DP采用PowerPAK® SO-8封裝，可用作適配器開關(guān)，以及筆記本電腦和工業(yè)及通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，使Si7145DP能夠更好地節(jié)約電能，延長充電間隔之間的電池壽命。這個(gè)特性在適配器開關(guān)中尤其重要(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)，因?yàn)檫m配器開關(guān)是一直導(dǎo)通并且要汲取電流?！　《偁帉κ肿詈玫牟捎肧O-8占位的30V P溝道器件，在10V和4.5V電壓下的最大導(dǎo)通電阻分別為3.1mΩ和4.3mΩ，比Si7145DP高16%和13%。　　Vishay Siliconix是業(yè)內(nèi)第一家引入Trench功率MOSFET的供應(yīng)商。該公司的TrenchFET知識產(chǎn)權(quán)包括眾多專利，包括可追溯自20世紀(jì)80年代早期的基礎(chǔ)技術(shù)專利。每一代新TrenchFET技術(shù)都會將計(jì)算、通信、消費(fèi)電子和許多其他應(yīng)用中功率MOSFET的性能提升到一個(gè)新的等級?！　∑骷耆ㄟ^了Rg和UIS測試，并且不含鹵素?！　ishay在2009年還將發(fā)布多款第三代P溝道TrenchFET功率MOSFET，提供更多的電壓等級范圍和更多的封裝選項(xiàng)。更多信息，請?jiān)L問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/?！　i7145DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為10至12周。VISHAY簡介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。TrenchFET®和PowerPAK®是 Siliconix Incorporated 的注冊商標(biāo)。新聞聯(lián)系人：VISHAY王真（Jenny Wang）地址：上海市淮海西路 55 號 申通信息廣場 15 樓 D 座電話：（8621）52585000-6052傳真：（8621）52587979Email：Jenny.wang@vishay.com煜治時(shí)代信息咨詢（北京）有限公司喬治（George Qiao）地址：北京市朝陽區(qū)朝外大街甲6號萬通中心A座4層052室，郵編：100020電話：（8610）59071501/2傳真：（8610）59073151Email：George.qiao@geomatrixpr.com　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　?。?a href="http://m.openheartcreations.com/" target="_blank" class="keylink">自動化網(wǎng)莫銘編輯）