【ZiDongHua 之“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈”收錄關(guān)鍵詞：復(fù)旦大學 人工智能 集成電路 】
　　
　　祝賀
復(fù)旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬-劉春森團隊榮獲2025世界人工智能大會青年優(yōu)秀論文獎！
　　
　　近日，2025世界人工智能大會青年優(yōu)秀論文獎揭曉，復(fù)旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬-劉春森團隊憑借在Nature上發(fā)表的論文《Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection》獲獎（圖1）。
 
 
　　
　　圖1.團隊獲獎證書隨著AI時代的快速發(fā)展，AI計算對算力和能效需求的日益攀升。其中，信息存儲速度決定了算力上限，而非易失存儲技術(shù)則是實現(xiàn)超低功耗的關(guān)鍵。因此，探索“信息的非易失存儲速度極限”已成為AI芯片能效突破最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)科學問題。現(xiàn)有信息存儲主力因理論框架桎梏，存在電荷注入屏障，存儲速度比芯片速度落后10萬倍以上，亟需構(gòu)建全新理論框架，實現(xiàn)非易失存儲技術(shù)的速度突破。該論文基于底層物理創(chuàng)新，通過構(gòu)建準二維泊松模型，理論預(yù)測了一種全新的電荷無極限超注入規(guī)律，打破了傳統(tǒng)電荷注入屏障限制。實驗中，團隊通過構(gòu)建狄拉克彈道加速通道，研制出擦寫速度達到亞1納秒（400皮秒）的閃存器件，速度超越同技術(shù)節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù)（圖2），成為人類目前掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)。這一成果重新定義了存儲技術(shù)邊界，為下一代AI芯片的高能效計算奠定基礎(chǔ)。Nature高度評價該研究“具有原創(chuàng)性的技術(shù)突破，足以奠定未來高速閃存的設(shè)計基礎(chǔ)”。此外，該成果獲CCTV、新華社等國內(nèi)媒體廣泛報道，并在國際論壇上獲得廣泛關(guān)注。
 
　　
　　圖2.電荷超注入皮秒閃存器件性能比較
　　
　　這一突破性成果是團隊師生協(xié)同創(chuàng)新的結(jié)晶。論文通訊作者劉春森研究員和周鵬教授為研究指明了方向，并在日?？蒲兄袃A囊相授、悉心指導(dǎo)，營造了勇于探索的學術(shù)氛圍。在兩位導(dǎo)師的帶領(lǐng)下，論文學生第一作者向昱桐、王寵緊密合作，充分發(fā)揮各自專長，共同攻克研究中的諸多難題。同時，復(fù)旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院提供了有力支持，為團隊的創(chuàng)新研究提供了堅實保障。世界人工智能大會青年優(yōu)秀論文獎自創(chuàng)辦以來已成功舉辦五屆，深受青年科學家好評，成為人工智能領(lǐng)域青年學者展示才華的重要平臺。該獎項由世界人工智能大會組委會主辦，中國科學技術(shù)協(xié)會作為指導(dǎo)單位，上海市科學技術(shù)協(xié)會、上?？萍及l(fā)展基金會、全球高校人工智能學術(shù)聯(lián)盟作為承辦單位，面向全球高校、科研院所和企業(yè)開展評選。本次評選吸引了北京大學、清華大學、復(fù)旦大學等多所國內(nèi)頂尖高校，以及加利福尼亞大學圣迭戈分校、哥倫比亞大學、南洋理工大學等海外知名院校的積極參與。經(jīng)過嚴格的初評、復(fù)評和終評，專家評審委員會從199篇參評論文中評選出10篇青年優(yōu)秀論文獎。