器件采用 PowerPAK® 1212-8 封裝類型，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 FOM 在 4.5V 和 10 V 時(shí)分別低至 76.6 mΩ-nC 和 117.60 mΩ-nC　　賓夕法尼亞、MALVERN —2008 年 12 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 　　這次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK® 1212-8 封裝，可為此額定電壓的設(shè)備提供業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。對(duì)于 SiS426DN 而言，直流到直流轉(zhuǎn)換器中針對(duì) MOSFET 的此關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM) 在 4.5V 時(shí)為 76.6 mΩ-nC，而在 10 V 時(shí)為 117.60 mΩ-nC；它在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)典型柵極電荷低至 13.2 nC，在 10V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)低至 28 nC。與最接近的同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時(shí)柵極電荷分別降低 45% 與 36%，F(xiàn)OM 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換，尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作，從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無(wú)源元件?！　ishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封裝的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封裝的 Si7784DP。兩款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 時(shí)典型柵極電荷分別為 13.7 nC 和 30 nC，且在 4.5V 和 10V 時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 FOM 分別為 112.34 mΩ-nC 和 180 mΩ-nC。采用 PowerPAK SO-8 封裝的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無(wú)鹵素，且 100% 通過(guò) Rg 和 UIS 測(cè)試?！　∵@些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端 MOSFET，通過(guò)使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。　　器件規(guī)格表：　　　　　　　　　　　　　　　
　　目前，采用 TurboFET 技術(shù)的第三代功率 MOSFET 可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。【可從以下網(wǎng)址下載高分辯率圖像 (<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.phpphoto=438】　　VISHAY SILICONIX簡(jiǎn)介　　Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開(kāi)關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)?！　?chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計(jì)用來(lái)在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開(kāi)關(guān)集成電路?！　iliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購(gòu)買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。　　VISHAY簡(jiǎn)介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者?！　∮嘘P(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，可以訪問(wèn) Internet 網(wǎng)站 http://www.vishay.com。　　TrenchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注冊(cè)商標(biāo)　　新聞聯(lián)系人：　　VISHAY　　王真（Jenny Wang）　　上海市淮海西路55號(hào) 申通信息廣場(chǎng)15樓D座　?。?621）52585000-6052　　（8621）52587979　　Jenny.wang@vishay.com　　煜治時(shí)代信息咨詢（北京）有限公司　　喬治 （George Qiao）　　北京市朝陽(yáng)區(qū)東大橋路8號(hào) SOHO尚都南樓 1703　?。?610）58696485　?。?610）59001090　　George.qiao@geomatrixpr.com